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內存産出量2020年將創十年新低,價格或止跌反彈

時間:2019-11-27 作者:TrendForce 閱讀:
在集邦咨詢(TrendForce)旗下半導體産業研究中心DRAMeXchange主辦的“2020存儲産業趨勢峰會(MTS2020)”上,集邦咨詢DRAMeXchange研究副總經理郭祚榮認爲,全球內存産業産出量明年年成長爲12%,爲近十年來新低的水平,原因在于各內存大廠對于資本支出保守加上工藝轉進趨緩外,內存價格亦曆經了長達一年半的下跌,都讓內存大廠想藉由産出的控制,以期明年市場從現在的供過于求往供需平衡邁進……
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2019年11月27日,由全球高科技産業市場研究機構集邦咨詢(TrendForce)旗下半導體産業研究中心DRAMeXchange主辦的“2020存儲産業趨勢峰會(MTS2020)”在深圳舉行。本次峰會彙聚全球半導體及存儲産業鏈重量級嘉賓以及集邦咨詢資深分析師,與來自産業鏈上下遊企業的數百名參會嘉賓共同探討2020年存儲市場新趨勢、新變化。wlFEETC-電子工程專輯
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本峰會圍繞半導體及存儲産業發展趨勢,議題分別從內存與閃存的市場供需態勢、技術發展方向、應用領域趨勢等方面,詳細解讀全球半導體存儲産業宏觀經濟環境、産業細分市場以及技術演變動態,深度分析未來的驅動因素和應用商機,爲産業及企業同步提供前瞻性、戰略性規劃參考,助力存儲産業鏈上下遊企業把握商機。wlFEETC-電子工程專輯
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圖1:集邦科技董事長劉炯朗致開幕詞wlFEETC-電子工程專輯
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会议伊始,集邦科技董事长刘炯朗为大会做开幕致辞,对所有参会嘉宾的莅临表示感谢。紧接着,集邦咨询半導體産業研究中心DRAMeXchange与拓墣产业研究院的半导体及存储产业各细分领域分析师、行业专家等展开精彩演讲,下面整理了各演讲嘉宾演讲的主要內容,以飨读者:wlFEETC-電子工程專輯

郭祚榮:2020年全球內存産業趨勢分析wlFEETC-電子工程專輯
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图2:集邦咨询DRAMeXchange研究副总经理  郭祚荣wlFEETC-電子工程專輯
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全球內存産業産出量明年年成長爲12%,爲近十年來新低的水平,原因在于各內存大廠對于資本支出保守加上工藝轉進趨緩外,內存價格亦曆經了長達一年半的下跌,都讓內存大廠想藉由産出的控制,以期明年市場從現在的供過于求往供需平衡邁進。wlFEETC-電子工程專輯
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從産能與工藝的角度來看,全球內存投片只有4%的成長,三大主要內存廠明年幾乎沒有大規模新增的産能,明年1X/1Ynm依然是市場主要工藝,1Znm工藝呈現緩步成長。集邦咨詢預估,明年內存價格將有機會在上半年止跌反彈,改善目前的獲利結構。wlFEETC-電子工程專輯

鍾寶星:5G芯引擎爲存儲提供核心動力wlFEETC-電子工程專輯
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图3:紫光展锐消费电子产品规划部部长  钟宝星wlFEETC-電子工程專輯
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5G大帶寬、海量連接、超低時延的豐富應用場景對存儲提出了更大容量、更加穩定、更快響應的新要求。5G芯引擎的發動,從中心、雲端存儲維度和邊緣、終端存儲維度都會帶來新的變革,爲存儲産業提供核心動力。wlFEETC-電子工程專輯
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5G时代下IOT将产生海量数据,预计2025年物聯網终端产生的数据量约80ZB,相当于约5154吨1T硬盘。边缘数据在广度、深度、精度上的全面提升,带来存储、模组、傳感器全面升级;5-10倍的速率提升,主流应用內容质量提升数倍,读写速度需求同步增长,5G带来大带宽意味着更大量的信息需要被传输、处理和存储,势必带动新的一轮硬件升级,带来新一波智能手機換機熱潮。未來5G加AI的融合,數據除了在中心雲端處理外,數據也會在邊緣端做更多的處理,邊緣AI的普及以及終端低延時應用均對存儲提出了更高、更快、更強的要求。wlFEETC-電子工程專輯
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中国作为全球最大的智能手機市场,将成为存储的先锋市场。5G时代全球性的终端升级带动存储的高速增长,将全面开启存储产业的新黄金时代。wlFEETC-電子工程專輯

余大年:存儲在電子競技産業鏈中的應用wlFEETC-電子工程專輯
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图4:芝奇国际技术行销总监  余大年wlFEETC-電子工程專輯
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近年來電競産業在世界各地快速成長,加上現代電競電腦需要更強大的多任務同步處理能力及執行高畫質遊戲的性能,帶動了高速度、高容量存儲産品的需求。wlFEETC-電子工程專輯
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芝奇國際爲全球高端電競內存領導品牌,多年來透過獨特的極限超頻技術,將每一世代硬件效能發揮至極限,不僅提供電競玩家更高性能內存産品,也同時樹立下一世代高端硬件的規格標竿,成爲加速人類科技進化的推手。wlFEETC-電子工程專輯
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DDR5即將問世,內存速度及容量勢必再做提升,如何能持續開發出更高性能産品以滿足電競玩家需求,將會是各大存儲廠商如何于電競市場致勝的關鍵。wlFEETC-電子工程專輯

叶茂盛:2020年智能手機发展与存储市场趋势分析wlFEETC-電子工程專輯
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图5:集邦咨询DRAMeXchange分析师  叶茂盛wlFEETC-電子工程專輯
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智能手機市场已经发展进入高原期,加上硬件创新幅度有限的因素,2020年生产量将大致持平,其中行动装置存储需求除传统上消费者越换越大的预期以外,明年受到5G手机渗透率提升影响,所需传输速度与容量要求皆有提升,在嵌入式产品界面方面,eMMC 5.1已难以负荷5G时代的基本传输要求,加上价格的诱因,UFS 2.1/3.0有望在2020年加速渗透,促使行动装置市场闪存位元出货成长达到32%,较2019年不到30%改善,也有助于整体闪存市场需求有较佳成长表现。wlFEETC-電子工程專輯

徐征:利基型DRAM市場趨勢分析wlFEETC-電子工程專輯
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图6:晋华集成副总经理  徐征wlFEETC-電子工程專輯
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目前利基型DRAM (specialty DRAM)主要应用于消费型电子产品。2019年DRAM市场供过于求,各大DRAM业者通过降价减产的方式降低库存水位,同时三大DRAM业者重新调整产线,加速1Znm制程,带动利基型DRAM的规格朝向DDR4迈进。wlFEETC-電子工程專輯
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需求端,目前利基型DRAM的位需求量持續提升已是市場共識,而中國龐大市場需求是中國DRAM制造業者們的商機所在;供給端,在三大供應商加速利基型DRAM規格叠代情況下,市場上普遍認爲消費型電子市場DDR4及LPDDR4的滲透率將逐年提升。wlFEETC-電子工程專輯
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然而,大部分的消費型電子産品並不需要如此快速的規格轉型,加上中國已領先全球著手布建5G系統,更有利于殺手級應用的産生,在此情形之下,倘若中國DRAM業者能夠補足需求缺口,滿足當下市場的需求,勢必能減緩終端應用廠商面臨被迫轉換的壓力,這將是中國DRAM業者成長的好機會。 wlFEETC-電子工程專輯

吳元雄:存儲技術與解決方案發展wlFEETC-電子工程專輯
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图7:力晶积成电子存儲器事业群总经理  吴元雄wlFEETC-電子工程專輯
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传统计算器架构中,动态随机存取存儲器带宽是受限的。在一些存儲器存取频繁的应用中,处理器往往会因带宽受限,无法获得充分数据进行有效运算,这就是所谓“内存墙”或 “memory wall”问题。wlFEETC-電子工程專輯
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力晶积成电子身为专业晶圆代工厂,除了逻辑晶圆代工之外,也是业界唯一专业动态随机存取存儲器晶圆代工厂。力晶积成电子特此综合这两项专长,针对深度神经网络应用,开发了AIM(AI Memory)平台,旨在解决内存墙问题。wlFEETC-電子工程專輯
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力晶積成電子AIM平台,乃基于力晶先進之動態隨機存取存儲器制程技術,可用于制作各式深度神經網絡加速電路。由于加速電路直接植入動態隨機存取存儲器陣列旁,如此加速電路可享有超高動態隨機存取存儲器帶寬,完全解決內存牆問題。並且由于無需傳統外部存儲器接口,外部接口傳輸所導致之功耗及延遲也一並免除。wlFEETC-電子工程專輯

劉家豪:IT基礎架構轉型驅動存儲器市場新紀元wlFEETC-電子工程專輯
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图8:集邦咨询DRAMeXchange资深分析师  刘家豪wlFEETC-電子工程專輯
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近年因AI技術逐漸成熟與智能終端裝置普及,多數應用服務皆藉由服務器來統合,尤其是需依賴龐大數據進行運算與訓練的應用服務,再加上虛擬化平台及雲儲存技術發展,服務器需求與日俱增。此外,在産業結構改變與服務器運算單元大幅進步之下,亦將帶動與傳統應用服務截然不同的服務器架構發展,進一步推升服務器的需求。wlFEETC-電子工程專輯
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在云端架构提供服务的基础上,终端被赋予的运算能力相对薄弱,多是藉由云端来获取运算与存储资源,预期5G商转后数据中心的应用将更多元,带动微型服务器(Micro Server Node)与边际运算(Edge Computing)成长,并将成为2020年后的发展主轴,以实现物聯網与车联网等应用场景。wlFEETC-電子工程專輯
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受到數據中心的落實驅動,2019年服務器DRAM全年使用量占整體DRAM的三成以上,預估2025年在5G相關部署驅動下,更將上升至接近四成。wlFEETC-電子工程專輯

梁紅偉:面向ABC時代的存儲器技術演進與挑戰wlFEETC-電子工程專輯
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图9:宇视科技云存储开发部部长  梁红伟wlFEETC-電子工程專輯
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伴隨著雲計算、大數據、物聯網、人工智能等信息技術的快速發展和傳統産業數字化的轉型,數據量呈現幾何級增長,傳統存儲架構存在性能/容量擴展有限、數據可靠性一般等“通病”,已經不能適用于海量數據存儲。wlFEETC-電子工程專輯
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AI+安防是人工智能技術商業落地發展最快、市場容量最大的主賽道之一。該領域的智能方案産品配置繁瑣、成本高,方案複雜、組件多、開局調試工作量大,運維複雜、數據路徑長等,對存儲方案提出了新訴求。雲計算方面,傳統存儲在設備資源統一管理、擴展性及節點故障保護上都存在缺陷,無法適應虛擬化數據中心彈性可擴展的未來要求。宇視超融合存儲解決方案針對傳統存儲方案存在的問題、痛點,給出了不一樣的解決之道。wlFEETC-電子工程專輯

黃士德:主控芯片創新技術應用發展及挑戰wlFEETC-電子工程專輯
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图10:慧荣科技SSD产品协理  黄士德wlFEETC-電子工程專輯
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随着5G、AI、物聯網等新科技不断发展演进、大数据的产出,促使NAND閃存技术迅速发展,3D NAND閃存的堆栈层数也已经高达100层以上,单颗NAND閃存的容量己从32GB提高到64GB、128GB。目前3D NAND正迎来价格下跌刺激高需求、低密度传统硬盘更换、新的体系架构和数据结构、高带宽数据流和5G宽带、人工智能+存储等带来的市场机遇。wlFEETC-電子工程專輯
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NAND閃存存儲應用越來越廣泛,從記憶卡到移動電話中的eMMC及被廣泛應用的固態硬盤,主控芯片扮演相當重要的關鍵角色,其促使NAND閃存在不同應用下發揮極致效能。如在自動駕駛汽車存儲領域,自動駕駛汽車需要安全可靠且響應迅速的解決方案,對存儲器的性能、數據校正、可靠性、溫度範圍等均提出了更高需求。wlFEETC-電子工程專輯

呂國鼎:閃存控制芯片暨儲存産業資源共享平台大聯盟

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图11:群联电子营销暨项目企划室项目经理  吕国鼎wlFEETC-電子工程專輯
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长久以来,存储产业一直存在一个迷思, 就是存储产业市场很大,殊不知,市场很大指的是闪存芯片(NAND Flash),而非闪存主控(NAND Controller)。在主控开发成本不断提升,而主控芯片售价却不断下降的状况,闪存主控难以获利的情况及趋势将愈来愈严重。wlFEETC-電子工程專輯
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群联独特的营运模式,历经20年的产业洗礼,不断成长茁壮。 群联也将透过最完整的闪存主控相关IP授权及ASIC設計服務,建構“閃存主控暨存儲産業資源共享平台大聯盟”,協助國內存儲産業實踐自主可控的中國芯大願。wlFEETC-電子工程專輯

陳玠玮:2020年全球閃存産業發展趨勢wlFEETC-電子工程專輯
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图12:集邦咨询DRAMeXchange研究协理  陈玠玮wlFEETC-電子工程專輯
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全球閃存産業位元産出量明年年成長爲約30%,爲近幾年來相對低檔的水平,原因在于閃存大廠除中國長江存儲較積極投資外,其他競爭者對于資本支出都較以往來得保守,導致新産能增加有限;再加上明年又要轉換新制程到更具挑戰性的128L等級,良率提升速度也會比之前來得緩慢。wlFEETC-電子工程專輯
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另一方面,因爲2019年閃存市場ASP大跌40-50%,讓閃存大廠由盈轉虧,也是造成2020年擴張保守的主因之一。集邦咨詢預估,明年閃存價格在供給面成長動能受限,以及需求端有機會回歸正常表現下,將出現另一波漲勢動能。wlFEETC-電子工程專輯

徐韶甫:晶圓代工工藝飛躍,高端制程坐7趕5追3wlFEETC-電子工程專輯
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图13:集邦拓墣产业研究院分析师  徐韶甫wlFEETC-電子工程專輯
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2019年在總體經濟不穩定的影響下,全球半導體産業表現呈現衰退,晶圓代工産業更迎來罕見負成長。wlFEETC-電子工程專輯
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而展望2020年,尽管市场氛围仍有不确定性,但受惠于5G、AI、车用等新兴终端应用需求的持续挹注,可望拉抬半導體産業逐渐脱离谷底;尤其在高端运算需求下,IC設計业者持续导入新一代矽智权,与最新制程技术结合,强化芯片效能与芯片客制化能力,提升了先进制程的采用率。wlFEETC-電子工程專輯
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即便在2019年半導體景氣低迷的情形下,7納米節點的采用率仍獲得大幅度的提升,也更加速7納米EUV(極紫外光)與5納米的量産商用,並連帶推升市場對3納米節點的信心,使先進制程研發的時程圖更加明朗化,日後將持續提高先進制程在晶圓代工中的份額,並藉由先進制程工藝的躍進來扶持摩爾定律的延續。wlFEETC-電子工程專輯
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责编:Luffy LiuwlFEETC-電子工程專輯
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